公開特許
茨城大学の公開特許一覧
茨城大学ではここに掲載しております特許を企業の皆様にご活用頂ける機会を探しております。
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茨城大学研究・産学官連携機構 産学官連携部門(知財担当)
〒316-8511 茨城県日立市中成沢町4-12-1
- TEL:0294-38-7281(代表) 内線 5323
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- E-mail: chizai-cd(at)ml.ibaraki.ac.jp
※ (at)は@に置き換えて下さい.
掲載分野
ライフサイエンス
発明の名称 |
出願/公開 |
要 約 |
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1 |
特願2008-074812 |
【課題】生育しつつある植物に周辺温度環境の影響を受けずエネルギーロスの少ない熱ショック処理装置を提供する。 |
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2 |
特願2010-229738 |
【課題】生体組織の疾患部又は損傷部を治療するために、熱、振動及び圧力の少なくとも一つを付与して接着を行う際に使用する接着用ステントとして、生体組織に対してずれることがなく、短時間で効率的な接着を行うことができ、且つ、生体組織に対して従来よりも優れた接着性を有する生体組織接着用柔軟性金属箔テープ及びその接着方法を提供する。 |
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3 |
特願2012-217850 |
【課題】シアノバクテリアを用いた物質の製造方法の提供。 |
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4 |
特願2013-102403 |
【課題】体内器官組織との接合を従来より迅速で、且つ簡便に行うとともに、細菌が侵入する隙間が形成されることなく高い接合強度を得るために、複合低エネルギー接合方法に適用できる組織自己接合型体内挿入管及び該体内挿入管と体内器官組織との接合方法を提供する。 |
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5 |
PCT/JP2016/057691 |
本発明は、バイオ燃料を生産する新規の技術を提供することを目的とし、具体的には、光合成微生物と非光合成微生物とを含む混合微生物を、窒素源欠乏培地において共培養することを含む、バイオ燃料の製造方法に関する。 |
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6 |
特願2018-118354 |
【課題】被介助者及び介助者にかかる負担を低減した介助用移乗器及び介助用移乗器を用いた移乗方法の提供。 |
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7 |
特願2020-145596 |
【課題】DNA損傷レベルから評価対象の疾病等の健康リスクを評価する、健康リスク評価システム及びその健康リスク評価方法を提供する。 |
情報通信
発明の名称 |
出願/公開 |
要 約 |
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1 |
特願2012-114178 |
【課題】簡単な動作を加えるだけできめ細かい音声再生を行うことができる新規な2次元コード読取装置の提供。 |
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2 |
特願2015-205117 |
【課題】 マルチモードを伝搬可能であって接続損失及び結合損失を低減した光ファイバ、光ファイバケーブル、及び光ファイバ接続方法の提供。 |
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3 |
特願2017-104050 |
【課題】株式投資における収益性を高める。 |
環境
発明の名称 |
出願/公開 |
要 約 |
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1 |
特願2012-045993 |
【課題】放射性物質が付着した構造物の表面から該放射性物質の量を、迅速、且つ効率的で効果的に低減するために利用できる放射性物質除染溶液及び該放射性物質除染溶液を用いた放射性物質除染方法を提供する。 |
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2 |
特願2012-058052 |
【課題】放射性物質によって汚染された土壌の表面から数センチ深さまでの土壌だけを固定化して除去するために利用する放射性物質含有土壌の固定化溶液及び該固定化溶液を用いた放射性物質除染方法を提供する。 |
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3 |
特願2013-12231 |
【課題】セシウム等の放射性物質による汚染土壌又は汚染焼却灰の除染を効率的に、且つ効果的に行うだけでなく、除染後の土壌や焼却灰の再生及び再利用を促進することができる汚染土壌又は汚染焼却灰の除染方法を提供する。 |
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4 |
特願2013-240262 |
【課題】抗菌性物質等の揮発性成分の放出を促進する。 |
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5 |
特願2017-046902 |
【課題】測定対象物を破壊することなく、また遮蔽体を使用せずに微量の放射能を測定する。 |
ナノテクノロジー・材料・計測
発明の名称 |
出願/公開 |
要 約 |
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1 |
PCT/JP2010/058327 |
【要約】式[1]で表される1,6-ジエン型エーテル化合物を用いて得られた含フッ素重合物は、低屈折率、高ガラス転移点、高透明性、溶剤可溶性を示す高機能ポリマーであり、コーティング材料やバルク材料として多くの用途が見込まれる。例えば、低反射膜や光導波路のクラッド等の光学材料、半導体リソグラフィーにおけるペリクルやレジスト等の半導体材料、さらには、保護膜材料、絶縁膜材料、撥水材料などの先端技術分野の用途に有効である。 |
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2 |
特願2011-022414 |
【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。 |
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3 |
特願2011-030514 |
【課題】従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 |
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4 |
特願2013-101708 |
【課題】LSIの高集積化、高密度化及び高速化に対して、配線幅の減少に伴う抵抗率の増加を抑えて、配線層の一層の低抵抗率化を図ることができる半導体集積回路装置とその製造方法、並びに効率的な低抵抗率銅配線の探索方法を提供する。 |
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5 |
特願2014-190677 |
【課題】π共役性、溶解性、成膜性、及び安定性に優れる含窒素複素環化合物の提供。 |
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6 |
特願2014-219812 |
【課題】縮合多環芳香族骨格が有するπ共役性を十分に発現しつつ、溶媒に対する溶解性が高く、安定性と耐久性に優れる新規な共重合体ポリマーの提供。 |
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7 |
特願2014-246504 |
【課題】波長を上回る厚さのある標本でも、干渉像に位相の飛びが起こらない位相差干渉顕微装置を提供する。 |
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8 |
特願2015-183828 |
【課題】配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにして結晶性を向上させることにより、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供する。 |
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9 |
特願2016-014002 |
【課題】Cu2Oを用いた高い変換効率の太陽電池を安価に得る。 |
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10 |
特願2016-035760 |
【課題】銅配線を用いた半導体装置を安価に得る。 |
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11 |
特願2016-086074 |
【課題】緻密な構造のRu層(金属層)を低温で成膜する。 |
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12 |
特願2017-036877 |
【課題】低抵抗かつ微細な銅配線を得る。 |
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13 |
新規な含フッ素環状有機化合物とその製造方法並びに前記含フッ素環状有機化合物からなる相間移動触媒、金属イオン捕捉剤、電解質形成材料、造影剤及び液浸露光プロセス用液体 |
特願2017-045573 |
【課題】反応溶媒、特にフッ素化溶媒に対する溶解性が高く、金属イオンの補足性に優れる含フッ素環状有機化合物とその製造方法並びに前記含フッ素環状有機化合物からなる相間移動触媒、金属イオン捕捉剤、電解質形成材料及び造影剤の提供。 |
14 |
特願2017-074148 |
【課題】π電子共役性を十分に発現しながら、有機溶媒に対する溶解性が高く成膜性が良好で、且つ、安定性と耐久性に優れる含フッ素π共役系環状高分子の製造方法と該製造方法によって得られる含フッ素π共役系環状高分子及びそれを用いた発光素子を提供する。 |
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15 |
特願2017-204584 |
【課題】広範囲の大きさにわたって構造体の測定と解析を可能にする。 |
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16 |
特願2018-096085 特開2019-200176 特許第6964340号 |
【課題】コヒーレント光の直線位置を精度良く取得する方法及びその装置を提供する。 | |
17 |
特願2016-014003 特開2017-133070 特許第6811467号 |
【課題】導電性及び広帯域で光透過率の高いZnO薄膜を安価に得る。 | |
18 |
特願2010-013334 特開2011-010651 特許第5751756号 |
【課題】貧栄養環境下においても芳香族化合物を分解することができる生物を提供すること。 | |
19 |
含フッ素多環芳香族化合物とその製造方法、並びに前記含フッ素多環芳香族化合物を用いる有機薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体及び有機発光素子の製造方法 |
特願2019-169266 特開2020-070289 特許第7061804号 |
【課題】種々構造式と特性を有する含フッ素のペンタセン及びナフタロシアニンの新規化合物、及びこれらの容易で高収率な製造方法、及びそれを用いる有機薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体及び有機発光素子の製造方法の提供。 |
20 |
含フッ素多環芳香族化合物とその製造方法、並びに前記含フッ素多環芳香族化合物を用いる有機薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体及び有機発光素子の製造方法 |
特願2021-190716 (特願2019-169266の分割) 特開2022-33821 特許第7045746号 |
【課題】様々な化学構造式と特性を有する含フッ素ナフタロシアニンの新規な化合物、及び該化合物を容易に、かつ高収率で合成できる製造方法、並びに前記含フッ素ナフタロシアニンを用いる有機薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体及び有機発光素子の各製造方法を提供する。 |
21 |
特願2019-530972 国際公開番号WO2019/017233 特許第7166637号 |
【要約】中性子線を高効率で集光する中性子光学素子、これを用いた高強度の中性子源を得る。 上流側の開口(21A)(上流側開口)の各々と、これに対応する下流側の開口(22A)(下流側開口)の各々との間を通る直線(中性子線に対応する図中の破線N1~N5)は、この中性子光学素子20の後方に設定された集光点Fを通るように構成される。中性子減速材(12)の全面から後方に拡散して放射される熱中性子のうち、集光点(F)に向かうもののみが抽出されるため、集光点(F)における中性線強度を局所的に高めることができる。 |
エネルギー
発明の名称 |
出願/公開 |
要 約 |
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1 |
特願2010-132725 |
【課題】発電機始動時に界磁鉄心の残留磁気を安定して得ることのできるリラクタンス発電機を提供する。 |
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2 |
特願2017-107854 |
【課題】シアノバクテリアを用いたペンタデカンの製造方法の提供。 |
ものつくり技術(製造技術)
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発明の名称 |
出願/公開 |
要 約 |
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1 |
特願2006-022313 |
【課題】ガス流量を抑えて大気圧プラズマを安定に維持し、その発光分析により所望のガス励起状態を得る携帯型大気圧プラズマ発生装置の提供。 |
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2 |
特願2009-113721 |
【課題】 毒性のない透明導電膜の低抵抗率化と大面積化を可能とし、製造過程に於ける基板選択性を高め低コスト化と同時に省エネルギー化を図る。 |
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3 |
特願2009-132239 |
【課題】小型軽量で高いトルクが発生でき、軸方向位置および回転制御と傾き制御の簡単な構成、軸方向位置および回転制御と傾き制御の容易なアキシャル型磁気浮上モータおよびアキシャル型磁気浮上遠心ポンプを提供する。 |
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4 |
PCT/JP2010/004512 |
【要約】バイアス磁束10が電磁石20の電磁石コア1を通るように形成されると共に、制御磁束9の磁路となるバイパス磁路9Aが、永久磁石6と並列に形成されており、バイパス磁路9Aがバイアス磁束10の通過を阻止する方向に磁化されていることにより、永久磁石6と電磁石20との互いの磁束が重畳する位置に配置しても、電磁石20によって形成される制御磁束9がバイパス磁路9Aを通ることになり、制御磁束9の損失を抑制できる。これにより、永久磁石6と電磁石20とを互いの磁束が重畳する位置に配置することができ、装置を小型化することができる。 |
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5 |
特願2010-075467 |
【課題】約300~600℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なGaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。 |
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6 |
特願2012-172943 |
【課題】本発明の目的は、アキシャル型磁気浮上モータのロータの回転中心軸を所定の位置に維持できるアキシャル型磁気浮上モータを提供することである。 |
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7 |
特願2012-254549 |
【課題】コギングトルクを大幅に低減できる埋込み永久磁石型モータを提供することである。 |
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8 |
特願2015-167656 |
【課題】簡単な構成で浮上ロータの姿勢制御を行うこと。 |
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9 |
特願2018-085088 |
【課題】ターゲットの損耗が交換タイミングに達したことを容易かつ迅速に低コストで判定し、スパッタリングを停止させる。 |
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10 |
特願2006-041893 |
【課題】永久磁石ロータを有する永久磁石界磁ブラシレスモータにおいて、モータ本体の発生するトルクリップルを少なくするため、永久磁石ロータと同時に変動トルク相殺用永久磁石ロータを設置した。 | |
11 |
特願2006-181078 |
【課題】管路内に装填した切削工具を圧縮気体により加速させて,管路に接続した切削雰囲気を制御できる加工チャンバ内に設置した被削材の一部を高速で削り,切削終了後も高速で飛翔し続ける工具と切りくずを,切削過程以外の変形や損傷を受けること無しに停止させる機能を有する高速切削試験装置を提供する。 | |
12 |
特願2018-205406 特開2020-072184 特許第6994257号 |
【課題】シリコン基板中に配線層が埋め込まれて構成された配線構造において、熱サイクルの際の配線層が塑性変形して突出することを抑制する。 | |
13 |
特願2021-545408 国際公開番号WO2021/111608 特許第6963347号 |
【要約】磁気パターンを磁気記録媒体に転写する際の書き込み効率を十分に高くする。 一様の磁化が付与されたスレーブ (10)と、一様の向きの磁化が付与された マスター ( 2 0 ) が準備される。次に、この状態のマスター(20)と、スレーブ (10)の磁気記録層 (1 2)とを密着させる。この状態で前記のようにマスター( 2 0 )にバイアス磁場 ( B 3 )を印加した場合には、第1磁性体層 (22)の磁化は反転せず、第2磁性体層 (23)の磁化だけが反転するため、図4Cに示されるように、記録磁場 (B4)が生成される。このため、バイアス磁場(B3)とマスター(20)を除去した後は、非反転領域(12B)における磁化を初期磁化(M0)とし、反転領域(12A)における磁化をこれと逆向きの書き換え磁化(M1)とすることができる。 |